EDT-Referat 1992/93 4HNB
Schott Markus

Arbeitspunkteinstellung und
Stabilisierung bei
Kleinsignaltransistorverstärkern

Durch die Temperaturabhängigkeit und die Exemplarstreung der
Transistorkennwerte kann es zu einer mehr oder weniger starken
Arbeitspunktverschiebung (IC,
UCE) kommen, welche Verzerrungen oder bei
Transistoren, die größere Eigenwärme erzeugen, unter
Umständen sogar thermische Zerstörung zur Folge haben.

Temperatrurabhängige Transistorkennwerte:

UBE: Mit steigendere
Temperatur wird die für einen bestimmten Strom benötigte
Spannung UBE an der leitenden Emitterdiode
kleiner. Die erforderliche Spannung UBE nimmt
um etwa 2mV/K wie die Flußspannung bei einer normalen Diode ab. (Da
die Ladungsträger- beweglichkeit mit steigender Temperatur zunimmt wird
die Flußspannung kleiner.) (siehe Bild 1)

ICB0: Bei
Germaniumtransistoren im µA-Bereich.
Bei Siliziumtransistoren im nA-Bereich.
Muß bei Siliziumtransitoren nur bei höheren
Sperrschichttemperaturen bertücksichtigt
werden.
ICB0 verdoppelt sich bei einer
Temperaturerhöhung um 10K.
Der Sperrstrom entsteht überwi...